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同步發(fā)電機(jī)、調(diào)相機(jī)定子繞組瀝青云母和烘卷云母絕緣老化鑒定試驗(yàn)項(xiàng)目和要求

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序號

項(xiàng) 目

要求

說明

整相繞組(或分支)及單根線棒的tgδ增量(Δtgδ)

①整相繞組(或分支)的Δtgδ值不大于下列值：

定子電壓等級(kV)	Δtgδ%
6	6.5
10	6.5

Δtgδ(%)值指額定電壓下和起始游離電壓下tgδ(%)之差值。對于6kV及10kV電壓等級，起始游離電壓分別取3kV和4kV
②定子電壓為6kV和10kV的單根線棒在兩個不同電壓下的Δtgδ(%)值不大于下列值：

1.5U_n和0.5U_n	相鄰0.2U_n電壓間隔	0.8U_n和0.2U_n
11	2.5	3.5

凡現(xiàn)場條件具備者，最高試驗(yàn)電壓可選擇1.5U_n；否則也可選擇(0.8～1.0)U_n。相鄰0.2U_n電壓間隔值，即指1.0U_n和0.8U_n、0.8U_n和0.6U_n，0.6U_n和0.4U_n、0.4U_n和0.2U_n

①在絕緣不受潮的狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)
②槽外測量單根線棒tgδ時，線棒兩端應(yīng)加屏蔽環(huán)
③可在環(huán)境溫度下試驗(yàn)

整相繞組(或分支)及單根線棒的第二電流增加率ΔI(%)

①整相繞組(或分支)Pi2在額定電壓U_n以內(nèi)明顯出現(xiàn)者(電流增加傾向倍數(shù)m₂＞1.6)，屬于有老化特征。絕緣良好者，Pi2不出現(xiàn)或在U_n以上不明顯出現(xiàn)
②單根線棒實(shí)測或由Pi2預(yù)測的平均擊穿電壓，不小于(2.5～3)U_n
③整相繞組電流增加率不大于下列值：

定子電壓等級(kV)	6	10
試驗(yàn)電壓(kV)	6	10
額定電壓下電流增加率(%)	8.5	12

①在絕緣不受潮的狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)
②按下圖作出電流電壓特性曲線

③電流增加率
  ΔI＝(I－I₀)／I₀×100%
  式中 I—在U_n下的實(shí)際電容電流；
  I₀—在U_n下I＝f(U)曲線中按線性關(guān)系求得的電容電流
④電流增加傾向倍數(shù)
  m₂＝tgθ₂／tgθ₀
  式中 tgθ₂—I＝f(U)特性曲線出現(xiàn)Pi2點(diǎn)之斜率；
  tgθ₀—I＝f(U)特性曲線中出現(xiàn)Pi1點(diǎn)以下之斜率

整相繞組(或分支)及單根線棒之局部放電量

①整相繞組(或分支)之局部放電量不大于下列值：

定子電壓等級(kV)	6	10
最高試驗(yàn)電壓(kV)	6	10
局部放電試驗(yàn)電壓(kV)	4	6
最大放電量(C)	1.5×10^-8	1.5×10^-8

②單根線棒參照整相繞組要求執(zhí)行

整相繞組(或分支)交、直流耐壓試驗(yàn)

應(yīng)符合表1中序號3、4有關(guān)規(guī)定

  注：1.進(jìn)行絕緣老化鑒定時，應(yīng)對發(fā)電機(jī)的過負(fù)荷及超溫運(yùn)行時間、歷次事故原因及處理情況、歷次檢修中發(fā)現(xiàn)的問題以及試驗(yàn)情況進(jìn)行綜合分析，對絕緣運(yùn)行狀況作出評定。
      2.當(dāng)發(fā)電機(jī)定子繞組絕緣老化程度達(dá)到如下各項(xiàng)狀況時，應(yīng)考慮處理或更換絕緣，其采用方式包括局部絕緣處理、局部絕緣更換及全部線棒更換。
       (a)累計運(yùn)行時間超過30年(對于瀝青云母和烘卷云母絕緣為20年)，制造工藝不良者，可以適當(dāng)提前；
       (b)運(yùn)行中或預(yù)防性試驗(yàn)中，多次發(fā)生絕緣擊穿事故；
       (c)外觀和解剖檢查時，發(fā)現(xiàn)絕緣嚴(yán)重分層發(fā)空、固化不良、失去整體性、局部放電嚴(yán)重及股間絕緣破壞等老化現(xiàn)象；
       (d)鑒定試驗(yàn)結(jié)果與歷次試驗(yàn)結(jié)果相比，出現(xiàn)異常并超出表中規(guī)定。
      3.鑒定試驗(yàn)時，應(yīng)首先做整相繞組絕緣試驗(yàn)，一般可在停機(jī)后熱狀態(tài)下進(jìn)行，若運(yùn)行或試驗(yàn)中出現(xiàn)絕緣擊穿，同時整相繞組試驗(yàn)不合格者，應(yīng)做單根線棒的抽樣試驗(yàn)，抽樣部位以上層線棒為主，并考慮不同電位下運(yùn)行的線棒，抽樣量不作規(guī)定。

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來源：華電高科官方網(wǎng)站

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